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Common Emitter
15
Common Emitter
1000
V GE = ± 15V, R G = 20 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
12
R L = 30 ?
T C = 25 ℃
V CC = 100 V
300 V
200 V
9
Eoff
6
100
Eon
3
5
10
15
20
0
0
10
20
30
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
100
I C MAX. (Pulsed)
50us
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
50
10
I C MAX. (Continuous)
100us
1 ?
10
1
DC Operation
0.1
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
linearly with increase
Safe Operating Area
0.01
in temperature
1
V GE = 20V, T C = 100 ℃
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
10
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Pdm
t1
t2
0.01
single pulse
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm ? Zthjc + T C
10
10
10
10
10
-5
10
-4
-3
-2
-1
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS10N60RUFD Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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